[发明专利]氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法无效
申请号: | 200910241546.5 | 申请日: | 2009-11-25 |
公开(公告)号: | CN102074894A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 季莲;张书明;刘宗顺;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/227 | 分类号: | H01S5/227;H01S5/343 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构,包括:一绝缘衬底;在该绝缘衬底上依次生长第一接触层、第一光限制层、第一波导层;在该第一波导层表面的脊形上分别生长有源区;在该有源区的上面生长有第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极;该第一波导层上面及侧边,在有源区、第二波导层、第二光限制层、第二接触层和P型欧姆接触电极的侧边生长有绝缘层;两个N型欧姆接触电极,分别制作在第一接触层上面的两侧台面的中间;在第一接触层上面两侧暴露出的台面上生长绝缘层;一P型加厚电极,该P型加厚电极制作在第一波导层、有源区、第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极的绝缘层上和P型欧姆接触电极的上面。 | ||
搜索关键词: | 氮化 激光器 列阵 管芯 器件 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构,包括:一绝缘衬底;一第一接触层,该第一接触层生长在绝缘衬底上;一第一光限制层,该第一光限制层生长在第一接触层上面的中间,使第一接触层上面的两侧形成台面;一第一波导层,该第一波导层生长在第一光限制层上,该第一波导层的表面形成偶多个脊形;在该第一波导层表面的脊形上分别生长有源区;在该有源区的上面生长有第二波导层;在该第二波导层的上面生长有第二光限制层;在该第二光限制层的上面生长有第二接触层;该第一波导层表面的脊形、有源区、第二波导层、第二光限制层和第二接触层合称为脊形发光区;在该第二接触层的上面生长有P型欧姆接触电极;在第一波导层的上面及侧边,在有源区、第二波导层、第二光限制层、第二接触层和P型欧姆接触电极的侧边生长有绝缘层;两个N型欧姆接触电极,分别制作在第一接触层上面的两侧台面的中间;在第一接触层上面两侧暴露出的台面上生长绝缘层;一P型加厚电极,该P型加厚电极制作在第一波导层、有源层、第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极的绝缘层上和P型欧姆接触电极的上面。
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