[发明专利]激光加工方法、激光加工装置以及芯片的制造方法无效

专利信息
申请号: 200910220845.0 申请日: 2009-11-06
公开(公告)号: CN102049612A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 远藤智裕 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: B23K26/00 分类号: B23K26/00;B28D5/04;H01L21/00;H01L33/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供激光加工方法、激光加工装置以及芯片的制造方法。能够可靠地形成能尽可能地分割蓝宝石基板这样的透明基板的加工槽,同时能够降低芯片切断面上的熔融层,将质量的下降抑制为最小限度。针对晶片(1)的间隔道(4),交替地设定形成加工槽(210)的加工区域(G)和形成比加工槽(210)浅的浅槽(211)的加工起点区域(H),使激光束的照射点(P)沿着间隔道(4)进行扫描,连续地形成加工槽(210)和浅槽(211)。
搜索关键词: 激光 加工 方法 装置 以及 芯片 制造
【主权项】:
一种激光加工方法,对晶片的透明基板照射激光束来进行烧蚀加工,该晶片在上述透明基板的表面上形成有功能层,在由排列成格子状的多个间隔道形成的多个区域中,形成有器件,其特征在于,该激光加工方法包含以下工序:保持工序,对上述晶片进行保持;设定工序,针对上述各间隔道,交替地设定形成加工槽的加工区域和形成比上述加工槽浅的浅槽的加工起点区域,将其设定信息存储在存储部中;以及加工工序,根据存储在上述存储部中的上述设定信息,使上述激光束的照射点从上述各间隔道的一端向另一端进行扫描,连续地形成上述加工槽和上述浅槽。
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