[发明专利]一种用于铋基薄膜湿法刻蚀的刻蚀液无效
| 申请号： | 200910216161.3 | 申请日： | 2009-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101705096A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 蒋书文;高莉彬;李言荣;李汝冠 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明针对采用HF水溶液作为刻蚀液难以刻蚀铋基薄膜材料、无法保证图形精度的技术问题，提供一种用于铋基薄膜湿法刻蚀的刻蚀液，属于材料技术领域，涉及微细加工技术，即光刻工艺中的刻蚀液。该刻蚀液以HF作为刻蚀剂、以NH4F作为络合剂和以H2O作为稀释剂的混合溶液，各组分的摩尔配比为：HF∶NH4F∶H2O＝1∶(0.5～1.5)∶(1.26～5.5)。为了进一步增加刻蚀液对铋基薄膜材料的刻蚀效果和刻蚀速度，还可在上述刻蚀液中添加助溶剂HNO3，各组分的摩尔配比为：HF∶NH4F∶HNO3∶H2O＝1∶(0.5～1.5)∶(0.36～1.6)∶(1.26～5.5)。采用本发明对铋基薄膜材料进行湿法刻蚀，刻蚀后表面洁净、图形清晰、精度高、无残留沉淀；加入HNO3助溶剂后，可明显加快铋基薄膜湿法刻蚀速度，能够对刻蚀过程、图形精度有效控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 薄膜 湿法 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种用于铋基薄膜湿法刻蚀的刻蚀液，是以HF作为刻蚀剂、以NH4F作为络合剂和以H2O作为稀释剂的混合溶液，各组分的摩尔配比为：HF∶NH4F∶H2O＝1∶(0.5～1.5)∶(1.26～5.5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910216161.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
