[发明专利]双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造方法

摘要

本发明公开了一种双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造方法，将刻蚀沟槽之前硅片表面的硬掩膜层由氧化硅和氮化硅两层改为氧化硅-氮化硅-氧化硅三层，又通过淀积和反刻工艺在沟槽的侧壁和底部形成了氮化硅侧墙和氮化硅残留层，从而可以有效阻止离子注入，保护有源区。

主权项

一种双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在硅衬底(20)表面淀积形成一层ONO掩膜层(30)，再在硅衬底(20)中以浅槽隔离工艺刻蚀浅沟槽(20a)、(20b)，所述浅沟槽的深度小于2um；所述ONO掩膜层(30)包括下方的隔离氧化层(30a)、中间的氮化硅(30b)和上方的氧化硅(30c)；第2步，在硅片表面淀积一层氧化硅(31)，反刻该层氧化硅(31)直至刻蚀到所述ONO掩膜层(30)时停止刻蚀，此时在所述浅沟槽(20a)、(20b)的侧壁形成氧化硅侧墙(31a)，在所述浅沟槽(20a)、(20b)底部残留有氧化硅(31b)；第3步，在所述浅沟槽(20a)、(20b)的底部以离子注入工艺注入杂质，从而在衬底(20)中接近所述浅沟槽(20a)、(20b)底部的区域形成掺杂区(21a)、(21b)；第4步，，以湿法腐蚀工艺去除硅片表面的氧化硅(30c)、(31a)、(31b)；第5步，在所述浅沟槽(20a)、(20b)中填充介质，形成浅槽隔离结构(22a)、(22b)；第6步，对硅片进行高温退火工艺，所述重掺杂区(21a)、(21b)横向扩散并在所述浅槽隔离结构(22a)、(22a)之间相连接形成重掺杂赝埋层(21)；所述赝埋层(21)为所述双极晶体管的集电区埋层；第7步，对在赝埋层(21)之上且在浅槽隔离结构(22a)、(22b)之间的衬底(20)以离子注入工艺进行一次或多次的杂质注入，从而将赝埋层(21)之上且在浅槽隔离结构(22a)、(22b)之间的衬底(20)变为掺杂区(23)，所述掺杂区(23)的掺杂浓度小于赝埋层(21)的掺杂浓度；所述掺杂区(23)为所述双极晶体管的集电区。