[发明专利]EEPROM的读取电路

摘要

本发明公开了一种EEPROM的读取电路，包括存储单元阵列、参考存储单元、行译码电路、列选择晶体管、电压产生电路和电流比较电路。其中新增加的参考存储单元自成一列，且在存储单元阵列的旁边或中间。所述电压产生电路，为EEPROM的读取操作输出大小相等的基准电压和参考电压，分别提供给存储单元和参考存储单元。所述电流比较电路，为EEPROM的读取操作比较基准读取电流和1/2幅值的参考读取电流，并输出所读取存储单元的存储数据。本发明EEPROM的读取电路消除了寄生参数对读取电路的影响，提高了EEPROM读取操作的稳定性，可靠性。

主权项

一种EEPROM的读取电路，其特征是，包括存储单元阵列、参考存储单元、行译码电路、列选择晶体管、电压产生电路和电流比较电路；所述存储单元阵列为m×n个EEPROM存储单元排列而成的m行×n列的矩形阵列；所述参考存储单元为m个，排列为1列，m个参考存储单元分别与存储单元阵列中的m行相连接；所述存储单元阵列和参考存储单元一起组成了m行×(n+1)列的矩形阵列；所述地址译码器连接所述存储单元阵列中的每一行，用于选择需要读取的EEPROM存储单元所在行；所述列选择晶体管为n+1个，排列为1行，n+1个列选择晶体管分别与所述m行×(n+1)列的矩形阵列中的n+1列相连接；所述电压产生电路，输入为基准电流，第一输出为x位的基准电压，其中x为所述EEPROM的一次读取位数，所述x位基准电压连接所述存储单元阵列的n列；n/x＝y，其中y为每一位基准电压所连接的存储单元阵列的列数；第二输出为参考电压，连接所述参考存储单元的一列；所述电流比较电路，连接所述m行×(n+1)列的矩形阵列中的每一列，其第一输入为被读取存储单元的漏极电流称为基准读取电流，第二输入为与被读取存储单元同行的参考存储单元的漏极电流称为参考读取电流；根据基准读取电流与1/2幅值的参考读取电流的大小关系，判断被读取存储单元的存储数据。