[发明专利]双极型晶体管的基区电阻的测量方法

摘要

本发明提出一种双极型晶体管基区电阻的测量结构和方法，包括：设计多个不同发射区宽度b的双极型晶体管测量结构；测量时，将每个测量结构的发射极、集电极零偏置，基区的四个金属引出用测试Kelvin电阻的方式连接，加激励电流I，测电压降Vbb；根据公式ΔVbb/I＝Rsh*Δb/L+Rlink，以ΔVbb/I为纵坐标、Δb/L为横坐标拟合曲线，L为发射区的有效长度，曲线斜率为基区的本征方块电阻Rsh，截距为基区的连接电阻Rlink；将每个测量结构的发射区、集电区零偏置，在最靠近发射区的两个金属引出上分别加电压Vbe+ΔV、Vbe-ΔV，测量流经基区的电流I；根据公式2ΔV/ΔI＝Rsh＊Δb/L+Rx拟合曲线，截距为基区的非本征电阻Rx。基区接触电阻为Rx-Rlink。

主权项

一种双极型晶体管的基区电阻的测量方法，该双极型晶体管的基区具有四个金属引出，对称分布在发射区两侧，其特征是，该测量方法包括以下步骤：a.设计多个双极型晶体管测量结构，固定其他尺寸，仅改变发射区宽度b，；b.分别将每个测量结构的发射极零偏置，集电极也零偏置，基区的四个金属引出用测试Kelvin电阻的方式连接，基区远离发射区的两个对称金属引出上加小的激励电流I，测量最靠近发射区的两个金属引出之间的压降Vbb；c.根据公式ΔVbb/I＝Rsh*Δb/L+Rlink拟合出相应的曲线，该曲线横坐标为Δb/L，纵坐标为ΔVbb/I，其中ΔVbb为，对两个具有不同发射区宽度的晶体管，在基区远离发射区的两个金属引出上同时加激励电流I，在靠近发射区的两个金属引出之间测得的压降之差，Δb为不同发射区宽度b之差，L为发射区的有效长度，该曲线的斜率为基区的本征方块电阻Rsh，该曲线的截距为基区的连接电阻Rlink；d.分别将步骤a中的每个测量结构的发射区、集电区零偏置，在最靠近发射区的两个金属引出上分别加电压Vbe+ΔV、Vbe-ΔV，Vce＝0，测量流经基区的电流I；e.根据公式2ΔV/ΔI＝Rsh＊Δb/L+Rx拟合出相应的曲线，曲线的截距为基区的非本征电阻Rx。f.根据公式Rx＝Rlink+Rcx，得到基区的接触电阻Rcx。