[发明专利]一种太阳能级多晶硅的制造方法无效
| 申请号： | 200910196942.0 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102040220A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 董海成;朱旭 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能科技有限公司;内蒙古神舟硅业有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 郑丹力 |
| 地址： | 201108 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能级多晶硅制造方法，包括步骤：1、选择纯度不小于99.5％高纯金属硅；2、粉碎金属硅，均匀混入硅质量5～10％的造渣剂；3、将混合粉末置于铸锭炉内进行真空保温熔炼；4、缓慢下降坩埚，实现定向凝固并铸锭；5、将所得硅锭去除头尾、清洗、干燥，包装。本发明解决了现有技术的设备复杂、投资大、能耗高等问题，取得了简化工艺设备、低能耗、无污染等有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 多晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能级多晶硅的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1、根据精料原则选择高纯金属硅，其纯度不小于99.5％；步骤2、将高纯金属硅进行粉碎，并均匀混入为硅质量5～10％的造渣剂；步骤3、将混合粉末置于石英坩埚内，在铸锭炉内进行真空保温熔炼；步骤4、缓慢下降坩埚，使硅液自下而上的缓慢降温，实现定向凝固并铸锭；步骤5、将所得硅锭去除头尾、清洗、干燥，包装。
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