[发明专利]用于形成微细尺寸结构的半导体光刻工艺方法有效
| 申请号： | 200910195812.5 | 申请日： | 2009-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102023476A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 安辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种用于形成微细尺寸结构的半导体光刻工艺方法，所述方法包括：在器件表面涂覆光刻胶进行第一次光刻，以形成将要填充交联式材料的区域；将所述交联式材料填充到由光刻胶构图形成的填充区域中；在一定的反应条件下，使交联式材料与光刻胶交界处产生融合，形成交联式区域；进行蚀刻，将所述光刻胶以及所述交联式材料刻蚀掉，保留所述交联式区域。所述交联式区域具有蚀刻选择性，其蚀刻速率低于所述光刻胶以及所述交联式材料的蚀刻速率。根据本发明的光刻工艺方法，能够实现对45nm以下更小的微细结构进行光刻，提高了图案的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 微细 尺寸 结构 半导体 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成微细尺寸结构的半导体光刻工艺方法，所述方法包括：在器件表面涂覆光刻胶进行第一次光刻，以形成将要填充交联式材料的区域；将所述交联式材料填充到由光刻胶构图形成的填充区域中；在一定的反应条件下，使交联式材料与光刻胶交界处产生融合，形成交联式区域；进行蚀刻，将所述光刻胶以及所述交联式材料刻蚀掉，保留所述交联式区域。
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