[发明专利]像素阵列有效
| 申请号： | 200910189925.4 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101702065A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 冯佑雄 | 申请（专利权）人： | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦;李庆波 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种像素阵列，其包括多条扫描线、多条数据线以及与扫描线和数据线耦接且阵列排列的多个像素结构。每一像素结构包括开关元件、像素单元、补偿电容以及二极管。在第i列像素结构中的每一像素结构中，开关元件的控制端以及第一端分别耦接第i条扫描线以及其中一条数据线，像素单元耦接开关元件的第二端，而补偿电容耦接像素单元，且二极管的阳极端以及阴极端分别耦接补偿电容以及第(i+1)条扫描线。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 阵列 | ||
【主权项】：
一种像素阵列，其包括多条扫描线、多条数据线以及与所述扫描线和所述数据线耦接且阵列排列的多个像素结构，其特征在于，第i列像素结构中的每一像素结构包括：开关元件，其控制端耦接第i条扫描线，其第一端耦接其中一条数据线；像素单元，耦接所述开关元件的第二端；补偿电容，耦接所述像素单元；以及二极管，其阳极端耦接所述补偿电容，其阴极端耦接第(i+1)条扫描线。
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