[发明专利]集成电路材料的制备方法和制备装置有效
| 申请号： | 200910181989.X | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101624176A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;张世理 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陆明耀;陈忠辉 |
| 地址： | 215021江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路材料的制备方法及应用该制备方法的制备装置，含有金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的液体从同一个入口进入同一个容器，在所述容器中受到变换的磁场的作用后，混合的金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管分离，分离之后的半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管分别两个出口流出。使用本发明的制备方法和制备装置制造的半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管的纯度高，可以大大提高使用半导体性碳纳米管的集成电路的产品良率。同时，由于本发明的制备方法简单易行，成本低廉，因此采用本发明的制备装置将可以大大降低高纯度碳纳米管的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 材料 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，a)将集成电路材料浸泡在导电液体中，所述集成电路材料为至少包含金属性碳纳米管，半导体性碳纳米管的混合材料；b)将所述导电液体倒入一容器中；c)在所述容器的四周设置两对磁力线相互垂直的磁极，相对的两个磁极形成一磁场，所述两对磁极的磁力线都穿过所述容器；d)移动其中任意一对磁极，使所述集成电路材料在所述容器中受到变换的磁场的作用而使金属性碳纳米管与半导体性碳纳米管分离；e)分别收集分离开的集成电路材料。
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