[发明专利]光电转换装置及光电转换装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910178380.7 申请日: 2009-11-25
公开(公告)号: CN101752433A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 鸟海聪志;远藤俊弥;大森绘梨子 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/036;H01L31/20
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 李雪春;武玉琴
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种高效的光电转换装置,而不使制造工序复杂化。一种光电转换装置,包括构成半导体接合的单元元件,其中依次层叠有:一导电型的第一杂质半导体层;包括晶体半导体所占的比率高于非晶半导体的第一半导体区域和非晶半导体所占的比率高于晶体半导体且在所述非晶半导体中混合有放射状晶体和具有针状生长端的结晶的第二半导体区域的半导体层;以及其导电型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。
搜索关键词: 光电 转换 装置 制造 方法
【主权项】:
一种光电转换装置,包括:单元元件,包括:具有一导电型的第一杂质半导体层;半导体层,包括:第一半导体区域;以及第二半导体区域,其中,所述第一半导体区域中的晶体半导体的比率高于所述第一半导体区域中的非晶半导体的比率,所述第二半导体区域中的非晶半导体的比率高于所述第二半导体区域中的晶体半导体的比率,并且,所述第二半导体区域在所述非晶半导体中包括放射状晶体和具有针状生长端的结晶的双方;以及具有与所述第一杂质半导体层的所述导电型相反的导电型的第二杂质半导体层,其中,依次层叠所述第一杂质半导体层、所述半导体层和所述第二杂质半导体层。
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