[发明专利]光电转换装置及光电转换装置的制造方法有效
申请号: | 200910178380.7 | 申请日: | 2009-11-25 |
公开(公告)号: | CN101752433A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 鸟海聪志;远藤俊弥;大森绘梨子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/036;H01L31/20 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;武玉琴 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种高效的光电转换装置,而不使制造工序复杂化。一种光电转换装置,包括构成半导体接合的单元元件,其中依次层叠有:一导电型的第一杂质半导体层;包括晶体半导体所占的比率高于非晶半导体的第一半导体区域和非晶半导体所占的比率高于晶体半导体且在所述非晶半导体中混合有放射状晶体和具有针状生长端的结晶的第二半导体区域的半导体层;以及其导电型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,包括:单元元件,包括:具有一导电型的第一杂质半导体层;半导体层,包括:第一半导体区域;以及第二半导体区域,其中,所述第一半导体区域中的晶体半导体的比率高于所述第一半导体区域中的非晶半导体的比率,所述第二半导体区域中的非晶半导体的比率高于所述第二半导体区域中的晶体半导体的比率,并且,所述第二半导体区域在所述非晶半导体中包括放射状晶体和具有针状生长端的结晶的双方;以及具有与所述第一杂质半导体层的所述导电型相反的导电型的第二杂质半导体层,其中,依次层叠所述第一杂质半导体层、所述半导体层和所述第二杂质半导体层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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