[发明专利]用于辐射吸收和检测的半导体材料

摘要

用于辐射吸收和检测的半导体材料，其包括化学计量Li(M12+，M22+，M32+，...)(G1V，G2V，G3V，...)的并且显示出反萤石型排序的组成，其中Li＝1，(M12++M22++M32++...)＝1，和(G1V+G2V+G3V+...)＝1。该材料提供了两个有用的特性：[1]高Li-位点密度，其当富集于6Li时，产生了异常的中子-吸收能力，和[2]用于有效地将所吸收的光子和中子能量转化为电流的半导能带隙。这些特性可在发电或γ和中子辐射的光谱检测的应用中被利用。该材料可以被定制以便仅仅检测γ光子，仅仅检测中子粒子，或同时检测γ光子和中子粒子。

主权项

用于辐射吸收和检测的半导体材料，其包括化学计量LiM2+GV的并且显示出反萤石型排序的三元组成，其中化学计量部分是Li＝1，M2+＝1，和GV＝1，其中电子空穴对通过辐射吸收产生，并且电子空穴对通过产生电流脉冲来检测。