[发明专利]静电放电保护半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910173769.2 | 申请日： | 2009-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101714575A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 金锺玟;宋宗圭;金山弘 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;阮伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种包括半导体器件(例如静电放电保护半导体器件)的电子器件及其制造方法。一种静电放电保护半导体器件可以包括衬底和在衬底中和/或上方的栅极。该栅极可以是多层的，并且可以包括栅极氧化层和栅电极。一种静电放电保护半导体器件可以包括形成在栅极一侧的衬底的预定区中和/或上方的源极区，以及多个漏极区，这些漏极区在栅极的相对侧的衬底中和/或上方且在垂直方向上是顺序多层的。至少一个漏极区可以与栅极在水平方向上重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：衬底；栅极；源极区；以及多个漏极区，包括第一漏极区和第二漏极区，其中，所述第二漏极区深于所述第一漏极区形成在所述衬底中。
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