[发明专利]压电装置、角速度传感器、电子设备以及压电装置制造方法有效

专利信息
申请号: 200910167553.5 申请日: 2009-08-24
公开(公告)号: CN101661989A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 小池伸幸;田村孝 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L41/08 分类号: H01L41/08;H01L41/187;H01L41/24;G01P3/44
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了压电装置、角速度传感、电子设备以及压电装置制造方法,其中,压电装置包括:基板、第一电极膜、压电膜和第二电极膜。第一电极膜形成在基板上。压电膜通过Pb1+X(ZrYTi1-Y)O3+X(0≤X≤0.3,0≤Y≤0.55)来表示并且通过X射线衍射法测量的烧绿石相的峰值强度相对于钙钛矿相的(100)平面取向、(001)平面取向、(110)平面取向、(101)平面取向以及(111)平面取向的峰值强度的和为10%以下,压电膜以400nm以上1,000nm以下的膜厚形成在第一电极膜上。第二电极膜层压在压电膜上。通过本发明,由于具有了良好的压电特性和耐热性,所以可以提供高可靠性。
搜索关键词: 压电 装置 角速度 传感器 电子设备 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种压电装置,包括:基板;第一电极膜,形成在所述基板上;通过Pb1+X(ZrYTi1-Y)O3+X(0≤X≤0.3,0≤Y≤0.55)表示的压电膜,通过X射线衍射法测量的其烧绿石相的峰值强度相对于钙钛矿相的(100)平面取向、(001)平面取向、(110)平面取向、(101)平面取向和(111)平面取向的峰值强度的总和为10%以下,所述压电膜以400nm以上1,000nm以下的膜厚形成在所述第一电极膜上;以及第二电极膜,层压在所述压电膜上。
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