[发明专利]用于薄膜存储介质的全氟聚醚润滑剂薄膜无效
| 申请号： | 200910166975.0 | 申请日： | 2009-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101676997A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 刘建伟;M·J·施蒂尼曼;桂靖 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/85;G11B5/725 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 项 丹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于薄膜存储介质的全氟聚醚润滑剂薄膜，提供了一种制作磁记录介质的方法，包括：在基底上形成磁记录层，在该磁记录层上形成保护性覆层，将该保护性覆层的表面暴露于包含全氟环烷和氧气的气氛中，以及使用等离子体增强的化学气相沉积方法聚合该全氟环烷烃，以在该保护性覆层上沉积包含全氟聚醚的层。还提供了一种磁记录介质，其具有通过等离子体增强的化学气相沉积法沉积的固态润滑薄膜层。该固态润滑薄膜层包括全氟聚醚，其是由全氟环烷聚合形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 存储 介质 全氟聚醚 润滑剂 | ||
【主权项】：
1、一种制作磁记录介质的方法，包括：在基底上形成磁记录层，在该磁记录层上形成保护性覆层，将该保护性覆层的表面暴露于包含全氟环烷和氧气的气氛中，以及使用等离子体增强的化学气相沉积方法聚合该全氟环烷烃，以在该保护性覆层上沉积包含全氟聚醚的层。
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