[发明专利]太阳能电池的制造方法与制造设备无效

专利信息
申请号: 200910163173.4 申请日: 2009-08-18
公开(公告)号: CN101997057A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 黄泳钊;郑博仁 申请(专利权)人: 北儒精密股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0236;C23C14/34;C23C16/44;C23C16/40;C23C14/06;C23C28/04;H01J37/32
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种太阳能电池的制造方法与制造设备,该制造方法包含以下步骤:于一透明基板顶面以常压等离子辅助化学气相沉积法沉积一硅氧化物层,且沉积的硅氧化物层顶面呈凹凸不平的表面;于该硅氧化物层顶面上方溅镀一第一电极层;于第一电极层顶面成型一光电转换单元;及于该光电转换单元顶面溅镀一第二电极层。本发明的功效在于利用常压等离子辅助化学气相沉积装置与方法,于所述透明基板表面上产生一层表面凹凸不平的硅氧化物层,提升太阳能的光电转换效率,且利用常压等离子辅助化学气相沉积装置与方法,使制程中可避免蚀刻制程的危险性,并可降低制程的成本。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法 设备
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,包含以下步骤:于一块透明基板顶面沉积一层硅氧化物层;于该硅氧化物层顶面上方溅镀一层第一电极层;于第一电极层顶面成型一层光电转换单元;及于该光电转换单元顶面溅镀一层第二电极层;其特征在于,以常压等离子辅助化学气相沉积法于透明基板顶面沉积该硅氧化物层,且沉积的硅氧化物层顶面呈凹凸不平的表面。
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