[发明专利]太阳能电池的制造方法与制造设备无效
申请号: | 200910163173.4 | 申请日: | 2009-08-18 |
公开(公告)号: | CN101997057A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 黄泳钊;郑博仁 | 申请(专利权)人: | 北儒精密股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0236;C23C14/34;C23C16/44;C23C16/40;C23C14/06;C23C28/04;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种太阳能电池的制造方法与制造设备,该制造方法包含以下步骤:于一透明基板顶面以常压等离子辅助化学气相沉积法沉积一硅氧化物层,且沉积的硅氧化物层顶面呈凹凸不平的表面;于该硅氧化物层顶面上方溅镀一第一电极层;于第一电极层顶面成型一光电转换单元;及于该光电转换单元顶面溅镀一第二电极层。本发明的功效在于利用常压等离子辅助化学气相沉积装置与方法,于所述透明基板表面上产生一层表面凹凸不平的硅氧化物层,提升太阳能的光电转换效率,且利用常压等离子辅助化学气相沉积装置与方法,使制程中可避免蚀刻制程的危险性,并可降低制程的成本。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,包含以下步骤:于一块透明基板顶面沉积一层硅氧化物层;于该硅氧化物层顶面上方溅镀一层第一电极层;于第一电极层顶面成型一层光电转换单元;及于该光电转换单元顶面溅镀一层第二电极层;其特征在于,以常压等离子辅助化学气相沉积法于透明基板顶面沉积该硅氧化物层,且沉积的硅氧化物层顶面呈凹凸不平的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北儒精密股份有限公司,未经北儒精密股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910163173.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:农用简易覆膜机
- 下一篇:基于图像模板匹配技术测量铁路路轨位移量的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的