[发明专利]复合式串联或并联的薄膜太阳能电池及其制作方法无效
申请号: | 200910149024.2 | 申请日: | 2009-06-11 |
公开(公告)号: | CN101924156A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 张一熙;李家娴;陈尊豪 | 申请(专利权)人: | 亚洲太阳科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国香港九龙旺角弥敦*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 本发明是有关于一种复合式串联或并联的薄膜太阳能电池及其制作方法。复合式串联或并联的薄膜太阳能电池包括基板、第一电池单元、绝缘层以及第二电池单元。第一电池单元包括依序配置于基板上且分别具有多个第一、第二及第三开口的第一导电层、第一半导体堆栈层以及第一透明导电层。绝缘层配置于第一透明导电层上,且通过第二开口及第三开口与第一导电层及第一半导体堆栈层的侧表面实体连接。第二电池单元电性连接至第一电池单元,其包括依序配置于绝缘层上且分别具有多个第四、第五及第六开口的第二透明导电层、第二半导体堆栈层以及第二导电层。藉由本发明可有效提高薄膜太阳能电池的效能,进而能大幅提升薄膜太阳能电池的使用性。 | ||
搜索关键词: | 复合 串联 并联 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种复合式串联或并联的薄膜太阳能电池,其特征在于其包括:基板;第一电池单元,其包括:第一导电层,配置于所述基板上,并具有多个第一开口以暴露出部分所述基板;第一半导体堆栈层,配置于所述第一导电层上,并具有多个第二开口以暴露出部分所述第一导电层,且所述第一半导体堆栈层通过所述第一开口与所述基板实体连接;第一透明导电层,配置于所述第一半导体堆栈层上,并具有多个第三开口以暴露出部分所述第一导电层与所述第一半导体堆栈层的部分侧表面,其中所述第三开口与部分所述第二开口是位于相同位置,且所述第一透明导电层通过所述第二开口与所述第一导电层实体连接;绝缘层,配置于所述第一透明导电层上,并通过所述第二开口及所述第三开口与所述第一导电层以及所述第一半导体堆栈层的侧表面实体连接;第二电池单元,电性连接至所述第一电池单元,其包括:第二透明导电层,配置于所述绝缘层上,并具有多个第四开口以暴露出部分所述绝缘层;第二半导体堆栈层,配置于所述第二透明导电层上,并具有多个第五开口以暴露出部分所述第二透明导电层,且所述第二半导体堆栈层通过所述第四开口与所述绝缘层实体连接;以及第二导电层,配置于所述第二半导体堆栈层上,并具有多个第六开口以暴露出部分所述第二透明导电层与所述第二半导体堆栈层的部分侧表面,其中所述第六开口与部分所述第五开口是位于相同位置,且所述第二导电层通过所述第五开口与所述第二透明导电层实体连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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