[发明专利]负极材料、制造方法、锂离子二次电池和电化学电容器有效

专利信息
申请号: 200910147495.X 申请日: 2009-06-16
公开(公告)号: CN101609879A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 福冈宏文;渡边浩一朗;樫田周;宫胁悟;大庭敏夫 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01M4/02 分类号: H01M4/02;H01M4/62;H01M4/04;H01M10/36;H01M10/40;H01G9/00;H01G9/042
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李 帆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及负极材料、制造方法、锂离子二次电池和电化学电容器。提供了一种导电粉末,该导电粉末中的颗粒具有分散在硅化合物中的硅微晶,且所述颗粒的表面上涂覆有碳。在使用铜作为对阴极进行x射线衍射分析(Cu-Kα)时,所述导电粉末于2θ=28.4°附近形成归属于Si(111)的衍射峰,所述峰具有至少1.0°的半峰宽,并且所述导电粉末具有至多50mΩ的比电阻。使用该粉末作为负极材料以构造非水电解质二次电池,该非水电解质二次电池具有高的充电/放电容量和改善的循环性能。
搜索关键词: 负极 材料 制造 方法 锂离子 二次 电池 电化学 电容器
【主权项】:
1.用于非水电解质二次电池的负极材料,该负极材料包含如下颗粒的导电粉末:该颗粒具有硅微晶分散在硅化合物中的结构且该颗粒的表面上涂覆有碳涂层,其中在使用铜作为对阴极进行x射线衍射分析(Cu-Kα)时,所述导电粉末于2θ=28.4°附近形成归属于Si(111)的衍射峰,所述峰具有至少1.0°的半峰宽,并且所述导电粉末具有至多50mΩ的比电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910147495.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top