[发明专利]通过电子附着去除表面氧化物的方法有效
申请号: | 200910145666.5 | 申请日: | 2009-05-13 |
公开(公告)号: | CN101740345A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 忠·克里斯汀·董;R·E·帕特里克;G·K·阿斯拉尼安;R·格什 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B23K31/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 林毅斌;李连涛 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文描述了一种从目标区域内的基材表面去除金属氧化物的方法和装置。在一个特定的实施方案中,所述方法和装置包含具有突出的导电尖端阵列的激励电极,其中所述导电尖端通过导线电连接并分成第一电连接组和第二电连接组,其中用负偏置的DC电压源启动至少部分所述导电尖端而在所述目标区域内产生电子,所述电子附着到所述目标区域中存在的至少部分还原气体上而形成带负电的还原气体,所述带负电的还原气体与所述处理表面接触而还原所述基材处理表面上的金属氧化物。 | ||
搜索关键词: | 通过 电子 附着 去除 表面 氧化物 方法 | ||
【主权项】:
一种从基材的处理表面去除金属氧化物的方法,所述方法包括:提供邻近具有接地电位的基极的基材,所述基材包含处理表面,所述处理表面包含金属氧化物;提供邻近所述基极和所述基材的激励电极,其中至少部分所述处理表面暴露于所述激励电极且其中所述基极和激励电极及基材位于目标区域内,其中所述激励电极由包含突出的导电尖端阵列的绝缘板限定,其中所述导电尖端通过导线电连接,其中部分所述阵列分成第一电连接组和第二电连接组,其中所述第一或第二电连接组中的一个与正偏置的DC电压源连接,所述第一或第二电连接组中的另一个与负偏置的DC电压源连接,且其中所述正偏置的DC电压源和所述负偏置的DC电压源与能交替改变所述负偏置的DC电压源和所述正偏置的DC电压源间的能量供给的功能控制器电连接;使包含还原气体的气体混合物通过目标区域;通过启动所述负偏置的DC电压源激励导电尖端行以在所述目标区域内产生电子,其中至少部分所述电子附着到至少部分所述还原气体上从而形成带负电的还原气体;使所述处理表面与所述带负电的还原气体接触以还原所述基材处理表面上的金属氧化物;和通过启动所述正偏置的DC电压源激励导电尖端行以从所述处理表面收回过量的电子,其中所述与负偏置的DC电压源电连接的导电尖端行和所述与正偏置的DC电压源电连接的导电尖端行不同时被激励。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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