[发明专利]负极以及包括该负极的二次电池有效
| 申请号： | 200910143040.0 | 申请日： | 2009-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101587947A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 小西池勇;佐鸟浩太郎;川濑贤一;仓泽俊佑;松元浩一;广濑贵一;岩间正之;藤永卓士 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M4/36;H01M4/58;H01M4/48;H01M10/36;H01M10/40 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴孟秋;梁 韬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了具有高循环特性的负极以及包括该负极的二次电池。该二次电池包括正极、负极以及电解质。在该负极中，包含硅、碳以及氧作为负极活性物质的负极活性物质层设置在负极集电体上。在该负极活性物质中，碳的含量为0.2原子％～10原子％，并且氧的含量为0.5原子％～40原子％。包含在该负极活性物质中的0.1％～17.29％比率的硅以Si-C键存在。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 以及 包括 二次 电池 | ||
【主权项】：
1.一种负极，在负极集电体上设置有包含硅(Si)、碳(C)以及氧(O)作为负极活性物质的负极活性物质层，其中，在所述负极活性物质中，碳的含量为0.2原子％～10原子％，而氧的含量为0.5原子％～40原子％，并且包含在所述负极活性物质中的硅的0.1％～17.29％以Si-C键存在。
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