[发明专利]等离子体监测方法和等离子体监测装置有效
申请号: | 200910142798.2 | 申请日: | 2004-04-26 |
公开(公告)号: | CN101587156A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 松本直树;山泽阳平;輿水地盐;松土龙夫;濑川澄江 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R23/02;G01N23/12;G01N21/69;G01J3/30 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部(54)中具备矢量式的网络分析器(68)。由该网络分析器(68)测定复数表示的反射系数,取得其虚部的频率特性,并且测量控制部(74)读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率,根据谐振频率算出电子密度的测定值。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 监测 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体监测方法,其特征在于,具有如下工序:在可生成或导入等离子体的容器室内插入并装配绝缘管的工序;将具有使前端部的芯线露出的探针部的同轴电缆插入所述绝缘管的管内的工序;在所述容器内不存在等离子体的状态下,对从所述绝缘管内的所述探针部放出的电磁波的反射系数取得第一频率特性的工序;在所述容器内存在等离子体的状态下,对从所述绝缘管内的所述探针部放出的电磁波的反射系数取得第二频率特性的工序;根据所述第一频率特性和所述第二频率特性,求出等离子体吸收频率的测定值的工序。
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