[发明专利]一种多晶硅还原炉无效
| 申请号： | 200910142710.7 | 申请日： | 2009-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101759183A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王燕 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 范晓斌;刘华联 |
| 地址： | 221000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括外壳以及设置在所述外壳下端部处的底盘，所述外壳与所述底盘一起限定了炉腔，原料气经由原料气进气管进入炉腔内，所述原料气进气管具有在所述炉腔内沿竖向延伸的加长部，并且沿所述加长部设有处于多个不同高度处的多个喷口，所述多晶硅还原炉还设置有对所述加长部进行冷却的冷却装置。本发明可以避免多晶硅沉积在原料气进气管表面，堵塞进气口。并可有效的改善原料进气的分布状态，使原料混合气在还原炉内分布更加均匀，硅棒直径更加均一，有效提高多晶硅产品的质量，减少多晶硅硅棒上部枝状体的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 还原 | ||
【主权项】：
一种多晶硅还原炉，包括外壳以及设置在所述外壳下端部处的底盘，所述外壳与所述底盘一起限定了炉腔，原料气经由原料气进气管进入炉腔内，其特征在于，所述原料气进气管具有在所述炉腔内沿竖向延伸的加长部，并且沿所述加长部设有处于多个不同高度处的多个喷口，所述多晶硅还原炉还设置有对所述加长部进行冷却的冷却装置。
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