[发明专利]太阳电池的制造方法无效
申请号: | 200910140366.8 | 申请日: | 2009-07-17 |
公开(公告)号: | CN101887929A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 许闰成;金东洙;朴胜一;李万根 | 申请(专利权)人: | SNT能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开一种太阳电池的制造方法,在太阳电池的制造工序中,通过改善用来有效捕捉入射光的表面织构化工艺,适于在批量生产中使用,并提高生产效率。其包括步骤:清洗基板;对基板进行表面织构化;对基板掺入杂质并使之扩散;在基板上涂敷抗反射膜;制作金属电极;使边缘电极(edge electrode)短路。其中,对基板进行表面织构化的步骤包括步骤:用压印工艺在基板上压印预定形状的阴罩;蚀刻基板;去除阴罩。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳电池的制造方法,包括步骤:清洗基板;在清洗完基板后,对基板进行表面织构化;完成基板表面的织构化后,对基板掺入杂质并使之扩散;对基板掺入杂质并使之扩散后,在基板上涂敷抗反射膜;在基板上涂敷完抗反射膜后,形成金属电极;及在制作完金属电极后,使边缘电极短路,其中,对基板进行表面织构化的步骤包括步骤:用压印工艺在基板上压印预定形状的阴罩;在基板上压印阴罩后,蚀刻基板;蚀刻完基板后,去除阴罩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的