[发明专利]读取与编程存储器的方法有效

专利信息
申请号: 200910139068.7 申请日: 2009-05-15
公开(公告)号: CN101656107A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 廖惇雨 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C7/00;G11C11/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种读取与编程存储器的方法,存储器包括多个存储单元并具有对应目标存储单元的预设编程验证值,该方法包括编程目标存储单元的第一侧使得其阈值电压值不低于预设编程验证值;读取目标存储单元的第二侧的阈值电压值并据以取得对应的第一侧的校准编程验证值;以及编程目标存储单元的第一侧使得其阈值电压不低于对应的校准编程验证值。
搜索关键词: 读取 编程 存储器 方法
【主权项】:
1、一种编程存储器的方法,该存储器包括多个存储单元并具有对应一目标存储单元的一预设编程验证值,其特征在于,该方法包括;a)编程该目标存储单元的一第一侧,使得该第一侧的一阈值电压值不低于对应的该预设编程验证值;b)读取该目标存储单元的一第二侧的一阈值电压值,并据以取得对应该第一侧的一校准编程验证值;以及c)编程该目标存储单元的该第一侧,使得该第一侧的一阈值电压值不低于对应的该校准编程验证值。
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