[发明专利]确定曝光设置的方法、光刻曝光设备、计算机程序和数据载体有效

专利信息
申请号: 200910138754.2 申请日: 2009-02-09
公开(公告)号: CN101561640A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: D·W·布里;R·布林克霍夫;F·斯达尔斯;R·弗兰肯;E·J·库普 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种确定曝光设置的方法、光刻曝光设备、计算机程序和数据载体。一种在光刻曝光过程中确定衬底上目标区域的曝光设置的方法,包括通过沿相对于校准区域位置的第二和第三方向在多个校准位置处确定沿第一方向的校准区域的位置,提供校准数据。该方法还包括通过以下步骤提供制造数据:沿第二和第三方向建立目标区域的衬底上的位置;和在相对于沿第二和第三方向的曝光区域的位置的至少一个测量位置处测量沿第一方向的曝光区域的位置。该方法进一步包括在至少一个第一相对测量位置和多个相对校准位置之间执行对比,和利用对比来基于沿第一方向的曝光区域的所测量位置和校准数据确定曝光设置,其中校准数据涉及至少一个相对校准位置,其不同于至少一个相对测量位置。
搜索关键词: 确定 曝光 设置 方法 光刻 设备 计算机 程序 数据 载体
【主权项】:
1.一种在光刻曝光过程中用于确定衬底上目标区域的曝光设置的方法,所述方法包括:提供包括在沿相对于校准区域位置的第二和第三方向的多个校准位置处在第一方向上的校准区域的位置的校准数据;通过以下步骤提供制造数据:沿所述第二和第三方向确定目标区域的衬底上的位置;和在相对于沿所述第二和第三方向的曝光区域的位置的至少一个测量位置处测量沿所述第一方向的曝光区域的位置;所述方法进一步包括:在所述至少一个第一相对测量位置和所述多个相对校准位置之间进行对比,和利用所述对比来基于沿所述第一方向的所述曝光区域的所述测量位置和所述校准数据确定曝光设置,其中所述校准数据涉及至少一个不同于至少一个相对测量位置的相对校准位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910138754.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top