[发明专利]形成硅光电池的多层电极结构的方法

摘要

公开了形成光电池电极结构的方法，其中光电池包括其上具有钝化层的半导体衬底，所述方法包括：提供多个穿过钝化层抵达半导体衬底的接触开口；将接触金属选择性地镀入该多个接触开口以沉积接触金属；将含金属材料沉积在所沉积的接触金属上方；以及烧制所沉积的接触金属和所沉积的含金属材料。含金属材料可以包括一种含有银或银合金连同玻璃料的糊料，其基本无铅至完全无铅。所述方法也可以采用光激活钝化层，或使用种子层来辅助镀料。

主权项

1. 一种形成光电池电极结构的方法，其中光电池包括其上具有钝化层的半导体衬底，该方法包括：提供多个穿过钝化层抵达半导体衬底的接触开口；将接触金属选择性地镀入该多个接触开口以沉积接触金属；在所沉积的接触金属上方沉积至少一个含金属层以形成金属栅格线；和烧制所沉积的接触金属和所沉积的至少一个含金属层。