[发明专利]电子束光刻技术制备图案化碳纳米结构材料的方法无效
| 申请号： | 200910117348.8 | 申请日： | 2009-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101613099A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 段辉高;谢二庆;刘延霞;赵建果;张洪亮;张永哲 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00;G03F7/20;G03F7/32 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种采用电子束曝光聚甲基丙烯酸甲酯薄膜制备图案化碳纳米材料的方法。该方法是先在约1×10-5Pa的真空下，采用电子束曝光聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，再用甲基异丁基酮和异丙醇的混合溶液显影聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，然后用纯异丙醇清洗，最后在高纯氮气环境下干燥。本发明通过控制电子束光刻的剂量、电子束的束斑尺寸以及聚甲基丙烯酸甲酯的厚度来实现不同图案的碳纳米结构材料的控制，图案的精确度高。主要应用于集成电路，场发射，纳米电极，光学器件，生物传感器等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束光刻 技术 制备 图案 纳米 结构 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种图案化碳纳米结构材料的制备方法，是先在1×10-2～1×10-8Pa的真空下，采用电子束曝光聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，再用显影液显影得到。
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