[发明专利]串联IGBT均压保护控制电路无效
| 申请号： | 200910116105.2 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101483334A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 张兴;蒲道杰;孙荣丙;刘淳 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H02H7/12 | 分类号： | H02H7/12 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 串联IGBT均压保护控制电路，其结构特点是设置电压变化率控制电路和端电压箝位控制电路；电压变化率控制电路是由单向导通二极管D2、充放电电容C1和电阻R2构成，在IGBT的关断过程中，由导通的二极管D2和充电状态下的电容C1构成并联在IGBT的CG端的IGBT外部电容；在IGBT的开通过程中，电容C1以电阻R2为放电通道；所述端电压箝位电路由三极管T1、T2构成，箝位状态是以直流源通过三极管T2、二极管D3向IGBT的栅极电容充电。本发明以简单的模拟元件组成控制电路，实现了类似于标准曲线IGBT开关电压波形，在开关过程的不同阶段实现不同的电压变化率。 | ||
| 搜索关键词： | 串联 igbt 保护 控制电路 | ||
【主权项】：
1、串联IGBT均压保护控制电路，其特征是设置电压变化率控制电路和端电压箝位控制电路；所述电压变化率控制电路是由单向导通二极管D2、充放电电容C1和电阻R2构成，在所述IGBT的关断过程中，由导通的二极管D2和充电状态下的电容C1构成并联在IGBT的CG端的IGBT外部电容；在所述IGBT的导通过程中，电容C1以电阻R2为放电通道；所述端电压箝位电路由三极管T1、T2构成，箝位状态是以直流源通过三极管T2、二极管D3向IGBT的栅极电容充电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学，未经合肥工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910116105.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种实现可变符号率的方法和装置
- 下一篇：一种金属铸造方法
