[发明专利]一种基于氮化镓发光材料的LED显示矩阵及其制作方法有效
申请号: | 200910115901.4 | 申请日: | 2009-08-03 |
公开(公告)号: | CN101630471A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 万金平;曹喜平;刘淑梅;龚振 | 申请(专利权)人: | 南昌欣磊光电科技有限公司 |
主分类号: | G09F9/33 | 分类号: | G09F9/33;H01L21/86 |
代理公司: | 南昌平凡知识产权代理事务所 | 代理人: | 姚伯川 |
地址: | 330012江西省南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种基于氮化镓发光材料的LED显示矩阵及其制作方法,属光电子器件制造技术领域。该方法利用刻蚀技术将外延材料分离成独立的行和列,行与列相交处是可独立控制发光的象素单元。同一行中利用外延材料的N型层做为同行象素之间的负极通路,同一列中利用蒸镀的金属电路做为同列象素之间的正极通路,整个显示矩阵依托兰宝石基板为一个整体。由于节约了象素控制电路所占用的空间,大大降低了LED显示模块的点距,提高了像素密度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 氮化 发光 材料 led 显示 矩阵 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种基于氮化镓发光材料的LED显示矩阵及其制作方法,其特征是,取一片兰宝石基板的氮化镓外延片,在其P表面形成欧姆接触,制作外延片表面电极;按所设计的象素单元尺寸对外延片进行刻蚀,去除P型外延层并裸露出N型外延层,使外延片表面形成A行、B列平面矩阵,行与列相交处即为一像素单元;在行的方向继续向下刻蚀N型外延层直到裸露出兰宝石基板,使得矩阵内的行与行之间电性不导通;在矩阵表面沉淀一层透明绝缘隔膜,通过图形腐蚀技术在隔膜的每一象素单元的电极位置处加工一通孔;在隔膜上蒸镀金属,并利用图形腐蚀技术将此金属层制作成所需的连接图形,此连接图形使得使矩阵中同列象素单元的电极通过隔膜上的通孔连接起来;形成同列单元的电性通路。
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