[发明专利]一种多晶硅的除硼提纯方法及装置无效
| 申请号： | 200910111808.6 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101555015A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 罗学涛;蔡靖;李锦堂;郑淞生;陈文辉;龚惟阳;沈晓杰;陈朝 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置，涉及一种多晶硅。提供一种低成本，工艺简单，适合产业化推广的多晶硅的除硼提纯方法及装置。多晶硅除硼提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具。将造渣剂预熔，所得矿渣装入加料仓；金属硅放入石墨坩埚，抽真空，接中频感应线圈电源，加热熔化金属硅后使硅液保持在1500～1800℃，将多孔旋转喷嘴降至硅液表面上方预热，通反应气体；旋转加料仓，加入造渣剂，将多孔旋转喷嘴降至石墨坩埚中，启动旋转叶片；待通气造渣完成后，关闭旋转叶片，升起多孔旋转喷嘴，关闭气源，将硅液倒入石墨模具静置，冷却后取出硅锭，去除杂质富集部分，得多晶硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 提纯 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.多晶硅除硼提纯装置，其特征在于设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具；真空系统设有机械旋片泵与罗茨泵，中频感应熔炼系统设有感应线圈和石墨坩埚，感应线圈设于石墨坩埚的外侧，二次加料装置设于石墨坩埚上方，二次加料装置设有加料仓和旋转机构，多孔旋转喷嘴设于石墨坩埚上方，多孔旋转喷嘴设有旋转叶片，旋转叶片轴中设有用于注入反应气体的通气管，旋转叶片与通气管对称分布，通气管的底端与旋转叶片的顶部连接，气体由设于旋转叶片轴与旋转叶片之间的喷孔吹入。
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