[发明专利]薄膜太阳电池CdS缓冲层及制备方法有效
| 申请号： | 200910108649.4 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101645466A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 刘萍;赖延清 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜太阳电池CdS缓冲层及制备方法。将含镉的化合物与含硫的化合物进行化学反应，反应中添加含金属离子的化合物或者溶液，进行金属离子掺杂，制备出CdxM1-xS薄膜，用作铜铟镓硒(CIGS)系薄膜太阳电池的缓冲层材料。本发明一方面减少材料中Cd的用量，减少镉金属污染问题，有利于环境保护；另一方面通过掺杂可有效调整缓冲层材料的带隙，继而提高铜铟镓硒系薄膜太阳电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳电池 cds 缓冲 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜太阳电池CdS缓冲层，其特征是：所述缓冲层是包含CdxM1-XS的薄膜，其中0＜x＜1，M代表金属化学元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
