[发明专利]碳纳米管阵列传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 200910105489.8 | 申请日： | 2009-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101811658A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 姚湲 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;G01N27/12;G01N27/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管阵列传感器，其包括：一第一电极；一第二电极；一设置于第一电极与第二电极之间的碳纳米管阵列，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，且所述碳纳米管阵列包括第一端和与该第一端相背的一第二端；至少一第一导电金属层，该第一电极与碳纳米管阵列的第一端通过该第一导电金属层电连接；至少一第二导电金属层，该第二电极与碳纳米管阵列的第二端通过该第二导电金属层电连接；其中，该碳纳米管阵列的第一端沉积有一第一亲金属层，该第一亲金属层与上述第一导电金属层接触并电连接，该碳纳米管阵列的第二端沉积有第二亲金属层，该第二亲金属层与上述第二导电金属层接触并电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管阵列传感器，其包括：一第一电极；一第二电极；一设置于第一电极与第二电极之间的碳纳米管阵列，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，且所述碳纳米管阵列包括一第一端和与该第一端相背的一第二端；至少一第一导电金属层，所述第一电极与碳纳米管阵列的第一端通过该第一导电金属层电连接；至少一第二导电金属层，所述第二电极与碳纳米管阵列的第二端通过该第二导电金属层电连接；其特征在于，该碳纳米管阵列传感器进一步包括在碳纳米管阵列的第一端沉积形成的一第一亲金属层，和在该碳纳米管阵列的第二端沉积形成的一第二亲金属层，该第一亲金属层与上述第一导电金属层接触并电连接，该第二亲金属层与上述第二导电金属层接触并电连接。
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