[发明专利]二硼化钛弥散强化铜基复合材料的自蔓延高温合成制备方法无效
| 申请号： | 200910095177.3 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101701301A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李才巨;朱心昆;赵昆渝;陶静梅;陈铁力 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C1/10;C22C9/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650093 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种自蔓延高温合成制备二硼化钛弥散强化铜基复合材料的方法：以粒度均小于100目，纯度均大于99％的Cu粉、Ti粉和B粉为原料，将一定量的Cu粉、Ti粉和B粉(Cu粉与Ti+B粉的质量比为50∶50～70∶30，其中Ti粉与B粉的摩尔比为1∶2)混合后在室温下高能球磨3～10小时；然后将混合粉末冷压成型；最后在真空室内采用电弧引燃压坯，通过压坯的自蔓延高温合成制备TiB2弥散强化的铜基复合材料，TiB2颗粒的平均粒径2～8μm。本发明采用简单的自蔓延高温合成方法合成制备TiB2弥散强化铜基复合材料，具有工艺简单、生产成本低、产品产量和质量高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 二硼化钛 弥散 强化 复合材料 蔓延 高温 合成 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自蔓延高温合成制备二硼化钛弥散强化铜基复合材料的方法，其特征在于：以粒度均小于100目，纯度均大于99％的Cu粉、Ti粉和B粉为原料，将Cu粉、Ti粉和B粉，其中Cu粉与Ti+B粉的质量比为50∶50～70∶30，Ti粉与B粉的摩尔比为1∶2，混合后在室温下高能球磨3～10小时；然后将混合粉末冷压成型；最后在真空室内采用电弧引燃压坯，通过压坯的自蔓延高温合成制得TiB2弥散强化的铜基复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学，未经昆明理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910095177.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种解聚纤维素的方法
- 下一篇：一种竹醋粉的制备方法
