[发明专利]复合助烧剂及其用于低温制备纳米晶陶瓷的方法有效
| 申请号： | 200910092906.X | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101654366A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 周肃;韩敏芳;刘泽;雷泽;于立安;彭苏萍 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学（北京） |
| 主分类号： | C04B35/63 | 分类号： | C04B35/63;C04B35/50;C04B35/48;C04B35/10;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100083北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合助烧剂及其用于低温制备纳米晶陶瓷的方法，复合助烧剂包括烧结助剂和晶粒生长抑制剂，烧结助剂包括Lu、Na、Ga、In、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Bi等一种或多种金属的盐或氧化物；晶粒生长抑制剂包括Mg、Ca、Al、Zr、Y等一种或多种金属的盐或氧化物。通过向陶瓷原料中添加上述的复合助烧剂烧结获得纳米晶陶瓷，烧结温度不高于900℃。可以在低温下烧结获得致密纳米晶粒陶瓷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 助烧剂 及其 用于 低温 制备 纳米 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1、一种复合助烧剂，其特征在于，包括烧结助剂和晶粒生长抑制剂，所述烧结助剂包括以下一种或多种金属的盐或氧化物：Li、Na、Ga、In、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Bi；所述晶粒生长抑制剂包括以下一种或多种金属的盐或氧化物：Mg、Ca、Al、Zr、Y。
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