[发明专利]高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200910091632.2 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101997029A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李越强;刘雯;王晓东;陈燕玲;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移率 量子 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层，该第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层，该第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层，该掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层，该间隔层制作在掺杂层上；一沟道层，该沟道层制作在间隔层上；一下势垒层，该下势垒层制作在沟道层上；一量子点层，该量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层，该上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极，该第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极，该第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极，该第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。
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