[发明专利]光读出红外图像传感器像元芯片的光刻方法无效
| 申请号： | 200910089421.5 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101659389A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 张霞;张大成 | 申请（专利权）人： | 中国传媒大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;G01J5/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光读出红外传感器像元芯片的光刻方法，属于红外焦平面阵列传感器的制备技术。该方法包括：在光读出红外传感器像元基片上淀积一层金属材料，该金属材料为双材料梁的上层材料；第一次光刻，为反光板区金属图形，腐蚀、再淀积一层反光板表面金属材料；然后第二次光刻，为双材料梁和反光板的金属图形，刻蚀，形成双材料梁的上层结构和反光板表面金属结构；最后，第三次光刻，为除双材料梁和反光板以外的梁结构和像元框架结构，以第三次光刻的光刻胶和第二次光刻形成的金属结构为掩模，刻蚀，形成光读出红外传感器像元芯片的表面结构。本发明可有效避免套刻偏差造成的像元灵敏度下降和噪声增加等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 读出 红外 图像传感器 芯片 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备光读出红外焦平面阵列传感器像元芯片所采用的光刻方法，其步骤包括：1)在光读出红外传感器像元基片上淀积第一层金属材料，该金属材料为双材料梁的上层结构材料；2)第一次光刻，为反光板区的金属图形，腐蚀第一层金属，淀积第二层金属，所述第二层金属为反光板表面金属材料；3)第二次光刻，为双材料梁和反光板的金属图形，刻蚀，形成双材料梁的上层结构和反光板表面金属结构；4)第三次光刻，为除双材料梁和反光板以外的梁结构和像元框架结构图形；以第三次光刻的光刻胶和第二次光刻形成的双材料梁的上层结构、反光板表面金属结构为掩模，刻蚀，形成光读出红外传感器像元芯片的表面结构。
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