[发明专利]填充有机金属改性碳管的高介电复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910089270.3 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101955620A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 党智敏;王岚 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/04;C08K3/04;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 填充有机金属改性碳管的高介电复合材料属于电活性纳米复合材料制备技术领域。本发明复合材料由外径为10～30nm、长度为1～5μm的MWNT-TFP和粒度为0.1～0.2μm的PVDF组成；其中，MWNT-TFP所占的体积比为6～16％，PVDF所占的体积比为84～94％。本发明通过将MWNT-TFP和PVDF分别容于DMF中，而后将二者混合超声分散，再经烘干，热压成型，得到本发明复合材料。本发明制备的复合材料具有介电常数高、复合温度低、制备工艺简单，成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 有机 金属 改性 高介电 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种填充有机金属改性碳管的高介电复合材料，其特征在于，所述的复合材料由有机金属三氟苯改性的多壁碳纳米管MWNT‑TFP和聚偏氟乙烯PVDF组成；复合材料中，MWNT‑TFP所占的体积分数为6～16％，PVDF所占的体积分数为84～94％；MWNT‑TFP的外径为10～30nm、长度为1～5μm，PVDF的粒度为0.1～0.2μm。
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