[发明专利]一种透明导电薄膜材料的制备方法

摘要

一种透明导电薄膜材料的制备方法，涉及导电薄膜材料的制备。本发明采用中频反应磁控溅射系统，通过控制制备前基体在等离子体中清洗和刻蚀，制备过程中采用纯度较高的金属Al靶和高纯度ZnO靶进行双靶共溅射并由等离子体辅助，制备结束后进行等离子体刻蚀技术，通过控制养损耗解决低温沉积不能得到较高的透光率、较低的电阻率的透明导电薄膜。本发明简单易行，有效解决了金属元素比例难以控制的问题，所有原料都比较常见，并且无污染、工艺简单，可以使用现有的ITO生产线，不需要升级改造既可实现工业化生产，具有重要的研究价值和广阔的应用前景。

主权项

1、一种透明导电薄膜材料的制备方法，其特征在于，采用中频反应磁控溅射系统沉积Al掺杂氧化锌薄膜，靶材为纯度99.99％的铝和99.99％的氧化锌，双靶共溅射并连接ALS-150R霍尔离子源，靶和离子源位分别固定在真空室内，其中离子源、双靶及基片的中心处于同一平面内，基片中心到双靶中心的距离相等，距离为80-120mm，基片以转速30-60r/min旋转，调整经过预溅射的铝靶，打开ZnO靶调整功率到250W开始溅射，同时基体上加30-60V的负直流偏压，溅射结束后用霍尔离子源在1-3A的阳极电流下对样品进行10-20分钟的刻蚀。