[发明专利]一种用于单晶硅绒面制备的腐蚀液及单晶硅绒面的制备方法无效
| 申请号： | 200910085898.6 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101570897A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 李海玲;王文静;赵雷;周春兰;刁宏伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;C23F1/40 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关 玲;贾玉忠 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于单晶硅绒面制备的腐蚀液及用法，腐蚀液组分为：1％～5％(质量比)的NaOH或KOH水溶液，1mg/L-50mg/L的十二烷基硫酸钠，0-6％(质量比)的硅酸钠。制备绒面时将单晶硅片浸入所述腐蚀液中，在70-95℃的温度下腐蚀10-60分钟，即制得所需绒面。本发明方法简单、廉价，稳定，适用于大规模产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 单晶硅 制备 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于单晶硅绒面制备的腐蚀液，其特征是所述腐蚀液组分为：1～5％(质量比)的NaOH或KOH溶液，1-50mg/L的十二烷基硫酸钠，0-6％(质量比)的硅酸钠。
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