[发明专利]光调制热成像焦平面阵列的制作方法有效
| 申请号： | 200910080277.9 | 申请日： | 2009-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101538005A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 焦斌斌;陈大鹏;欧毅;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01J5/20;B81C5/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 刘铁生 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种光调制热成像焦平面阵列的制作方法，包括如下步骤：步骤1.在单晶硅片上表面制造重掺杂层；步骤2.按照预设图案，在单晶硅片上表面刻蚀沟槽；步骤3.在沟槽内壁覆盖氧化硅层；步骤4.生长多晶硅填满沟槽；步骤5.在单晶硅片上表面覆盖薄膜层A；步骤6.在薄膜层A上覆盖金属层；步骤7.按照预设图案，刻蚀金属层；步骤8.按照预设图案，刻蚀薄膜层A；步骤9.按照预设图案，从硅片背面腐蚀单晶硅；步骤10.按预设图案，腐蚀掺杂层，得到带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 调制 成像 平面 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种光调制热成像焦平面阵列的制作方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在单晶硅片上表面制造重掺杂层；步骤2、按照预设图案，在单晶硅片上表面刻蚀沟槽；步骤3、在沟槽内壁覆盖氧化硅层；步骤4、生长多晶硅填满沟槽；步骤5、在单晶硅片上表面覆盖薄膜层A；步骤6、在薄膜层A上覆盖金属层；步骤7、按照预设图案，刻蚀金属层；步骤8、按照预设图案，刻蚀薄膜层A；步骤9、按照预设图案，从硅片背面腐蚀单晶硅；步骤10、按预设图案，腐蚀掺杂层，得到带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列。
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