[发明专利]真空离子溅射镀膜在IML工艺中的应用方法无效
| 申请号： | 200910070607.6 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101698935A | 公开（公告）日： | 2010-04-28 |
| 发明（设计）人： | 曾晓东;刘静艳;石云;王树清 | 申请（专利权）人： | 天津市中环高科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 莫琪 |
| 地址： | 300385 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种真空离子溅射镀膜在IML工艺中的应用方法，选择带宽广的金属In，Sn合金(配比为3∶7)作为镀膜材料基层，这样镀出的膜层才有美观的金属质感。In与Sn的表面配合两层绝缘保护层Al2O3和SiO2，厚度应分别控制在30～40纳米和60～70纳米之间，通过先镀金属，后镀金属保护层的工艺使镀膜区域能够耐受油墨侵蚀与成型过程的拉伸，按键部位具有镀膜的金属质感，又有绝缘非导电的特性，本发明攻克了镀膜在手机成型件加工工程中如印刷油墨抗冲层，高压成型，注塑过程中的被腐蚀，龟裂等技术难点，实现了镀膜工艺在手机壳装饰件的大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 离子 溅射 镀膜 iml 工艺 中的 应用 方法 | ||
【主权项】：
真空离子溅射镀膜在IML工艺中的应用方法，其特征在于通过先镀金属In与Sn非导电金属层，后镀金属Al2O3和SiO2保护层的工艺，使镀膜区域能够耐受油墨侵蚀与成型过程的拉伸，所述方法包括如下工艺步骤：(1)在图案油墨层上沉积非导电金属层：镀膜材料选择金属In，Sn合金，配比为3∶7；沉积厚度控制在30～60纳米之间，真空度控制在5×10-6Torr以上，镀膜时间控制在10min-15min之间；(2)在非导电金属层上沉积保护层：在In与Sn的表面依次沉积Al2O3和SiO2，厚度应分别控制在30～40纳米和60～70纳米之间。
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