[发明专利]对向靶反应溅射外延四氧化三铁薄膜的设备及操作方法无效
| 申请号： | 200910068124.2 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101497986A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 白海力;李鹏;张乐陶;米文博;姜恩永 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 王 丽 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对向靶反应溅射外延四氧化三铁薄膜的制备方法，是采用中科院沈阳科学仪器研制中心生产的DPS-III型超高真空对向靶磁控溅射镀膜机。本发明采用对向靶直流反应磁控溅射的技术，通过控制氧气和氩气的流量比达到控制真空室中的氧气分压的目的，并与合适的直流溅射功率相匹配，在基底加热的条件下，在不同取向的单晶MgO、SrTiO3、Nb：SrTiO3和c-Al2O3基底上制备形成外延四氧化三铁薄膜。本发明所涉及的外延Fe3O4薄膜制备方法具有与现有工业化生产兼容、靶材选择简单和靶材使用率较高等优点，在磁信息存储和读取等自旋电子学相关器件的制备上具有广泛的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 溅射 外延 氧化 薄膜 设备 操作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种对向靶反应溅射外延四氧化三铁薄膜的设备，其特征是采用中科院沈阳科学仪器研制中心生产的DPS-III型超高真空对向靶磁控溅射镀膜机。
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