[发明专利]一种单相六方碳化钨硬质涂层材料及其低温合成方法无效
申请号: | 200910066542.8 | 申请日: | 2009-02-19 |
公开(公告)号: | CN101497985A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 郑伟涛;胡超权;苏亚东 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 朱世林;王寿珍 |
地址: | 130012吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及一种单相六方碳化钨硬质涂层材料及其低温合成方法,属于薄膜材料技术领域。其主要解决的技术问题是将单相六方碳化钨涂层的合成温度从现有技术的1000℃以上降低至300℃,同时显著提高其显微硬度。本发明采用磁控溅射法,以W为靶源,Ar,CH4及N2为放电气体,沉积系统采用直流电源,对碳化钨涂层进行少量N掺杂,使N取代部分C原子,其中N原子的掺杂浓度为0.5~9%。该方法能促进六方碳化钨的生成,降低其制备温度并提高硬度。本发明可使六方碳化钨涂层运用于热稳定性较低的基底材料,降低生产成本,拓宽运用领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 单相 碳化 硬质 涂层 材料 及其 低温 合成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种单相六方碳化钨硬质涂层材料,其特征在于:在碳化钨涂层中掺杂N,用N取代部分C原子,不形成WN相,N的原子百分含量范围为0.5~9%;涂层材料的相结构为单相六方α-WC,其空间群为P6m2;涂层中各元素的原子数量比为:【W】/(【C】+【N】)=1:1。
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