[发明专利]一种157nm深紫外激光微加工制备场致发射阴极的方法

摘要

本发明采用157nm深紫外激光作为光源来制备场致发射阴极的方法，该方法可以理想的控制场致发射显示器阴极的分布状况和阴极尖锥的形状和尖度，从而提高阴极发射电流密度和发射均匀性。该方案是在真空环境下，采用157nm深紫外激光并配以相应的掩膜技术，照射硅材料形成相应的倒锥结构，再注入有机聚合物材料，凝固成型后去除掉硅材料即可制备出可折叠柔性的尖锥阵列衬底，该方法能准确的控制工艺过程，并且功耗低、亮度高、超薄并能够较理想的控制场致发射显示器阴极的分布状况和阴极尖锥的形状和尖度。

主权项

1、一种157nm深紫外激光微加工制备场致发射阴极的方法；其特征在于以157nm深紫外激光做光源，通过光学准直系统变为平行光后直接辐照刻有加工所需形状的掩膜板，通过掩模板的选通性对单晶硅工件进行刻蚀，通过多孔掩模板的多层次刻蚀，在单晶硅上制备倒锥阵列，如果在制备好的单晶硅倒锥模型中注入有机聚合物，并在10-2真空度下凝固成型，可制备出柔性的尖锥阵列，在其上低温沉积场致发射材料氮化镓或者氧化锌薄膜等场致发射即可制备出微锥型可折叠的场致发射阴极。