[发明专利]一种单大马士革工艺集成方法无效
| 申请号： | 200910057525.8 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101937870A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 曾林华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单大马士革工艺集成方法，包含如下步骤：(1)在氮化硅膜上淀积金属层间膜；(2)线槽光刻形成线槽图形；(3)线槽刻蚀，光刻胶去除；(4)全面淀积金属，形成金属连线；(5)化学机械抛光磨平金属；(6)金属层间膜去除，留下金属连线；(7)全面淀积低介电常数金属层间膜；(8)化学机械抛光磨平低介电常数金属层间膜。该方法能避免低介电常数金属层间膜在工艺流程中受到氧气等离子体损伤导致介电常数增加，从而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大马士革 工艺 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种单大马士革工艺集成方法，其特征是，包含如下步骤：(1)在氮化硅膜上淀积金属层间膜；(2)线槽光刻形成线槽图形；(3)线槽刻蚀，光刻胶去除；(4)全面淀积金属，形成金属连线；(5)化学机械抛光磨平金属；(6)金属层间膜去除，留下金属连线；(7)全面淀积低介电常数金属层间膜；(8)化学机械抛光磨平低介电常数金属层间膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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