[发明专利]比较半导体器件的静电放电性能的方法有效
| 申请号： | 200910056030.3 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101988946A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 简维廷;杨斯元;张荣哲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种比较半导体器件的静电放电性能的方法，包括：收集各组半导体器件所有测试管脚在静电放电测试中的失效电压；对各组半导体器件的失效电压数据进行概率分布统计；基于概率分布，获得各组半导体器件的外推最低电压；若半导体器件的外推最低电压与所述失效电压数据中的最低值的差值小于第一临界范围，则以所述最低值作为待比较值；否则，以所述外推最低电压作为待比较值；比较各组半导体器件；具有较大待比较值，且与另一待比较值间的差值大于或等于第二临界范围的一组半导体器件的静电放电性能较好。否则，两组半导体器件的静电放电性能相近。所述比较半导体器件的静电放电性能的方法，其准确性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 比较 半导体器件 静电 放电 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种比较半导体器件的静电放电性能的方法，其特征在于，包括：收集各组半导体器件所有测试管脚在静电放电测试中的失效电压；对所获得的各组半导体器件的失效电压数据进行概率分布统计；基于所获得的各组半导体器件的失效电压数据的概率分布，获得各组半导体器件的外推最低电压；对于各组半导体器件，若半导体器件的外推最低电压与所获得的失效电压数据中的最低值的差值小于第一临界范围，则以所述最低值作为待比较值；否则，以所述外推最低电压作为待比较值；比较各组半导体器件的待比较值；具有较大待比较值，且与另一待比较值间的差值大于或等于第二临界范围的一组半导体器件的静电放电性能较好。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910056030.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有信号衰减时间调整功能的超音波感测装置及应用方法
- 下一篇：一种推力装置
