[发明专利]一种开发和筛选相变存储材料的方法无效
| 申请号： | 200910053519.5 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101626061A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 张挺;宋志棠;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;宋 缨 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种开发和筛选相变存储材料的方法，包括下列步骤：(1)在单一的基底上制备出至少2个成份的相变材料组份；(2)采用激光对数据进行处理、编程和数据读取，从而获得基底上的各种组份相变材料的性能；(3)通过得到的各种相变材料组份性能的比较，获得优化组份，并绘制相变材料精细相图。本发明提供表征相变存储材料材料芯片的方法，获得各个相变材料组份的相变速率和相变功耗，高效地开发、筛选高性能存储材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开发 筛选 相变 存储 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种开发和筛选相变存储材料的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)在单一的基底上制备出至少2个成份的相变材料组份；(2)采用激光对相变材料进行处理、编程和数据读取，从而获得基底上的各种组份的相变材料的性能；(3)通过得到的各种相变材料组份性能的比较，获得优化组份，并绘制相变材料精细相图。
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