[发明专利]优化CMOS图像传感器版图的方法有效
| 申请号： | 200910053496.8 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101930480A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 罗飞;邹立 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种优化CMOS图像传感器版图的方法，提供版图，所述版图包括CMOS图像传感器光电二极管有源区和晶体管的栅电极区；所述光电二极管有源区和晶体管的栅电极区具有原始尺寸；根据版图，制备晶体管的栅电极，所述制备晶体管的栅电极的工艺包括刻蚀步骤，所述刻蚀步骤采用保护栅电极拐角的刻蚀方法；测试所述栅电极尺寸；根据测试结果，对版图上的光电二极管有源区和晶体管栅电极区的尺寸进行优化，所述优化的光电二极管有源区面积大于优化前的版图上的光电二极管有源区面积。本发明制备得到的CMOS图像传感器满足器件工艺参数并且填充因子高，有效地提高CMOS图像传感器的图像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 cmos 图像传感器 版图 方法 | ||
【主权项】：
一种优化CMOS图像传感器版图的方法，其特征在于，包括：提供版图，所述版图包括CMOS图像传感器光电二极管有源区和晶体管的栅电极区；所述光电二极管有源区和晶体管的栅电极区具有原始尺寸；根据版图，制备晶体管的栅电极，所述制备晶体管的栅电极的工艺包括刻蚀步骤，所述刻蚀步骤采用保护栅电极拐角的刻蚀方法；测试所述栅电极尺寸；根据测试结果，对版图上的光电二极管有源区和晶体管栅电极区的尺寸进行优化，所述优化的光电二极管有源区面积大于优化前的版图上的光电二极管有源区面积。
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