[发明专利]还原性气氛泡生法生长晶体的方法无效
| 申请号： | 200910053206.X | 申请日： | 2009-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101580961A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 周圣明;林辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种还原性气氛泡生法生长晶体的方法，其特点是在感应加热提拉法生长晶体的基础上，使用钨、钼或钨钼合金坩埚，坩埚外以石墨毡作保温材料并在高温下形成还原性气氛，硬石墨毡保温罩或氧化锆砖保温罩结合钨钼后热器置于坩埚上方为坩埚内的熔体和生长出的晶体保温，观察窗设在保温罩上盖和炉壁上侧，以保证温场及温度梯度分布的均匀性、对称性，通过保温罩上盖和炉壁上侧的观察窗观察熔体，按常规提拉法工艺下籽晶并放肩，后以一定速率减小功率，同时可微量提拉晶体或不提拉晶体，即“泡生生长”，结晶结束后继续减小功率对晶体降温。本发明可低成本地生长大尺寸高质量晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 原性 气氛 泡生法 生长 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种还原性气氛泡生法生长晶体的方法，其特征在于：在感应加热提拉法生长晶体的基础上，使用钨坩埚、钼坩埚或钨钼合金坩埚，坩埚外以石墨毡作保温材料并在高温下形成还原性气氛，硬石墨毡保温罩或氧化锆砖保温罩结合钨钼后热器置于坩埚上方为坩埚内的熔体和生长出的晶体保温，观察窗口设在保温罩上盖和炉壁上侧，以保证温场及温度梯度分布的均匀性和对称性，通过保温罩上盖和炉壁上侧的观察窗口观察熔体，按常规提拉法工艺下籽晶并放肩，其后以一定速率减小加热功率，同时微量提拉晶体或不提拉晶体的方式进行结晶，结晶结束后，继续降低加热功率对晶体进行降温直至室温，取出晶体。
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