[发明专利]柱状纳米加热电极的制备方法有效
| 申请号： | 200910052406.3 | 申请日： | 2009-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101572290A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 冯高明;宋志棠;刘波;封松林;万旭东;吴关平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种柱状纳米加热电极的制备方法，首先在衬底上沉积一层厚度为100nm～300nm的TiN薄膜，利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在TiN薄膜上形成直径为200nm～300nm的光刻胶图形，接着利用反应离子刻蚀技术中O2气体修整光刻胶的形貌，将光刻胶图形尺寸缩小到直径为40nm～100nm左右，利用等离子刻蚀的技术刻蚀TiN薄膜，最后清洗光刻胶得到40nm～100nm的柱状纳米加热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。本发明不仅适用于制备相变存储器的小尺寸纳米加热电极，同样适用于制备其他电子器件特别是纳电子器件所需的纳米电极，具有很大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 柱状 纳米 加热 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、柱状纳米加热电极的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：(a)在衬底上沉积一层薄膜；(b)在步骤(a)获得的结构上利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术制备出直径为200nm～300nm的光刻胶图形；(c)利用反应离子刻蚀技术中O2气体修整光刻胶的形貌，将光刻胶图形尺寸缩小到直径为40nm～100nm，刻蚀功率为500W～1000W，刻蚀气压为10mTorr～100mTorr，O2流量为500sccm～2000sccm，刻蚀速率约为500nm/min～800nm/min；(d)利用等离子刻蚀的技术刻蚀薄膜形成柱状纳米加热电极；(e)最后清洗光刻胶，得到柱状纳米加热电极。
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